Снос зданий:
ecosnos.ru
Главная  Интегральные микросхемы 

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 [ 18 ] 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89


вых

Рис. 2.48. Использование симметричных усилителей для уменьшения входного тока (транзистор должен иметь высокий Р при /к==50 нА).

За счет действия общей обратной связи напряжение на входе - будет отслеживать этот опорный уровень. При этом ток в цепи эмиттера транзистора будет равен входному току. Этот же ток протекает и в цепи коллектора этого транзистора (а^1); ток коллектора поступает на вход верхнего по схеме ОУ. В результате такой компенсации первого порядка входной ток /вх всей схемы значительно уменьшается. На рис. 2.49 показана схема, в которой используется описанный принцип'.


*-1ю

Вспомогательный уса-литель(длй компенсации. Входного тока.)


т

Г Вспомоеатемиый усалитель(для кеыпеи-сации Входных тонов)

Рис. 2.49. Схема пикового детектора с малым дрейфом, уменьшенным входным током, высоким Zbx и низким 2вых.

Транзистор должен иметь высокий Р при /jj = 100 нА, а конденсатор С -малую утечку

Отношение сопротивлений внешних (навесных) резисторов выбрано таким, чтобы ток компенсации двух правых по схеме усилителей, воспринимающих напряжение на конденсаторе, был вдвое больше входного то-

Приведена основная часть Прим. ред.

схемы слежения - хранения. -



ка смещения, поступающего в конденсатор. При этом в отсутствие сигнала суммарный ток заряда конденсатора хранения С будет близок к О, и можно хранить информацию длительное время.

2.39. АКТИВНЫЕ RC-ФШЪТРЫ

От усилителей активных РС-фильтров нижних частот требуется стабильность коэффициента усиления по постоянному току. На рис. 2.50 показана схема фильтра, выполненного с использованием источника напряже-

Рис. 2.50. Схема активного RC-фильтра нижних частот с исполь- [ зованием ИНУН.

o=l кГц; (2=1; Кг,=2.

с j 0,01 ii

ния, управляемого напряжением (ИНУН). Данный фильтр обеспечивает в полосе пропускания Ки-2, Q=l и частоту среза 1 кГц.

2.40. ХОРОШО СОГЛАСОВАННЫЙ ИСТОЧНИК ТОКА

На рис. 2.51 показана схема источника тока, работающего в широком диапазоне питающих напряжений. Задающий ток резистора Rg может работать при падении напряжения на нем от 50 до 100 мВ (при этом Ux из-

Рис. 2.51. Источник тока, работающий в широком диапазоне питающих напряжений.

вых/вх= Р малых значениях /х

противление резистора следует увеличить.

меняется в диапазоне 50-100 мВ), и LM124 будет получать соответствующее смещение даже при питании от источника одной полярности. Это- гарантирует активный режим работы п-р-п транзистора при изменении напряжения на его коллекторе в широких пределах.


Имеется в виду простота согласования с нагрузкой. - Прим.



2.41. ИЗМЕРИТЕЛЬ ТОКА

На рис. 2.52 показана необычная схема измерителя тока. Потребляемый нагрузкой ток /н создает на измерительном резисторе Ri падение напряжения. За

счет действия цепи обратной связи ОУ на резисторе R2 будет падать напряжение, равное падению напряжения на Rl. Поскольку этот ток через R2 протекает также в цепи эмитtepa п-р-п транзистора, то этот резистор можно использовать для преобразования токового сигнала в выходное напряжение, пропорциональное /н. Напряжение питания ОУ должно превышать U+ не

Ттска-.н^агрузки f 15 В, С тем

UJIl В/А; для малых значе- ТОбЫ ПОСЛеДНеС НС ВЫХОДИ-

иий сопротивление резистора R, ЛО 33 ДОПуСТИМЫС ПрСДСЛЫ

следует увеличить, СИНфаЗНОГО НапрЯЖеНИЯ ОУ.


2.42. ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Сдвоенные и счетверенные схемы с однополярным питанием дают пользователям большую свободу в области применения и позволяют уменьшить стоимость систем, построенных на их основе. Эти ИМС отражают новый подход в проектировании линейных схем, быстро завоевывающий признание во многих областях системотехники. Это широкое одобрение со стороны потребителей вызвало появление первых ИМС такого рода, и можно ожидать, что с течением времени таких схем будет становиться все больше.

Первое сообщение по применению многофункциональных линейных ИМС было сделано в 1973 г. руководителем отдела разработки линейных микросхем фирмы National Semiconductor Томасом М. Фредериксеном на семинаре, проводимом редакцией журнала Electronic Products Magazine. Этот доклад и был положен в основу материала данной главы. 6Q



1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 [ 18 ] 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89